[发明专利]一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法在审
| 申请号： | 201910156618.X | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN109735818A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 廖斌;庞盼;唐杰;罗军;陈琳 | 申请（专利权）人： | 深圳南科超膜材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 深圳市宾亚知识产权代理有限公司 44459 | 代理人： | 黄磊 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区观澜街道新澜社*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，包括基体，和相互连接的真空系统、高功率脉冲磁控溅射系统、真空阴极弧沉积系统及控制系统，基体通过高功率脉冲磁控溅射系统与真空阴极弧沉积系统结合制备成硒鼓；通过将高功率脉冲磁控溅射与真空阴极弧沉积系统相结合，改变等离子体区间的电势分布，提高等离子体密度，在一定程度上解决HIPIMS沉积速率低的问题，同时有效改善了膜基界面结合状况，膜层的致密性良好，制备的薄膜颜色根据薄膜成分可调，沉积速率有所提高，使用性能优良，能够改善界面性能，提高薄膜的摩擦学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 高功率脉冲 制备 真空阴极弧 沉积系统 硒鼓 等离子体 磁控溅射技术 磁控溅射系统 沉积 薄膜 薄膜颜色 磁控溅射 电势分布 界面性能 控制系统 膜基界面 使用性能 真空系统 致密性 可调 膜层 摩擦 | ||
【主权项】：
1.一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，其特征在于：包括基体，和相互连接的真空系统、高功率脉冲磁控溅射系统、真空阴极弧沉积系统及控制系统，所述基体通过所述高功率脉冲磁控溅射系统与所述真空阴极弧沉积系统结合制备成硒鼓；所述结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，方法步骤如下：S01.利用重金属和气体混合等离子体对所述基体表面进行高低能交替清洗；S02.利用高功率脉冲磁控溅射系统(HIPIMS)对所述基体进行二次清洗；S03.所述真空阴极弧沉积系统(FCVA)以碳靶为阴极，利用双90度磁过滤沉积方法在所述基体上进行高致密DLC涂层的沉积；S04.利用阳极层气体离子源对所述DLC涂层进行纳米结构刻蚀形成1‑3nm的无定形增透及耐磨层；S05.所述高功率脉冲磁控溅射系统和/或所述真空阴极弧沉积系统分别或同时进行沉积，两者离子束呈夹角分布，制备成硒鼓。
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