[发明专利]一种GaAs基LED芯片的切割方法有效
| 申请号： | 201910157580.8 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN111640827B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 彭璐;张兆梅;林伟;王成新 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaAs基LED芯片的切割方法，具体步骤包括：(1)对GaAs基LED芯片的前制程半成品COW进行研磨；(2)在COW的N面蒸镀欧姆接触金属膜层；(3)腐蚀COW的N面的欧姆接触金属膜层，形成切割道；(4)在COW的P面涂覆固化胶；(5)将COW转移至ICP刻蚀设备，进行ICP干法刻蚀；(6)在COW的N面覆盖蓝膜；(7)除去COW的P面上的固化胶，得到独立的芯片。本发明采用ICP刻蚀技术对GaAs基LED芯片的前制程半成品COW的N面进行切割，采用欧姆接触金属膜层作为掩膜进行ICP干法刻蚀，切割效率高，没有出现P崩、N崩现象，比机械切割得到的外观良品率高10‑20％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas led 芯片 切割 方法 | ||
【主权项】：
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