[发明专利]一种太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明提供了一种太阳能电池的制造方法，包括：在硅衬底的表面形成绒面结构，硅衬底正面的电极区包括中心区域和两侧区域；在中心区域的至少部分区域内形成第一重掺杂区、在两侧区域的部分区域内形成第二重掺杂区、在其他区域内形成轻掺杂区，第一重掺杂区的掺杂浓度大于等于第二重掺杂区的掺杂浓度；或者在中心区域的至少部分区域内形成第一重掺杂区，在两侧区域的全部区域内形成第二重掺杂区、在其他区域内形成轻掺杂区，第一重掺杂区的掺杂浓度大于第二重掺杂区的掺杂浓度；形成减反射层、正面电极以及背面电极。本发明还提供了一种太阳能电池。实施本发明可以减少电池的表面复合，提高电池的转换效率。

主权项

1.一种太阳能电池的制造方法，该制造方法包括：a1、提供硅衬底并在该硅衬底的表面形成绒面结构，其中，所述硅衬底正面用于印刷正面电极的正面电极区包括第一中心区域和第一两侧区域；a2、在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区、在所述第一两侧区域的部分区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于等于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；或者，在所述第一中心区域的部分或全部区域内形成第一重掺杂区，在所述第一两侧区域的全部区域内形成第二重掺杂区、以及在所述硅衬底正面位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之外的其他区域内形成第一轻掺杂区，其中，所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区和第一轻掺杂区中掺杂杂质的类型与所述硅衬底的类型相反，所述第一重掺杂区的表面掺杂浓度大于所述第二重掺杂区的表面掺杂浓度；a3、在所述硅衬底的所述正面形成减反射层；a4、在所述硅衬底上形成正面电极和背面电极，其中，所述正面电极透过所述减反射层与所述正面电极区形成欧姆接触，所述背面电极与所述硅衬底的背面形成欧姆接触。