[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置在审
| 申请号： | 201910161278.X | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN110246739A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 高山航;近江宗行;伊深怜;五十岚大;铃木贵幸;村上贵宏 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明能够将由于对基片进行等离子体处理而产生的反应生成物很好地从载置台的载置面的周缘部除去。等离子体处理方法包括：等离子体处理工序，其一边在形成于载置台的内部的致冷剂流路流通0℃以下的致冷剂，一边对载置于载置台的载置面的基片进行等离子体处理；载置工序，其代替基片而将仿真基片载置在载置台的载置面；和除去工序，其在仿真基片载置于载置台的载置面的状态下，一边利用处理气体的等离子体经由仿真基片加热载置面，一边利用处理气体的等离子体将因基片的等离子体处理而产生的反应生成物从载置面的周缘部除去。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体处理 载置 载置台 等离子体 反应生成物 处理气体 载置面 周缘部 等离子体处理装置 致冷剂流路 致冷剂 加热 流通 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：等离子体处理工序，其一边在形成于载置台的内部的致冷剂流路流通0℃以下的致冷剂，一边对载置于所述载置台的载置面的基片进行等离子体处理；载置工序，其代替所述基片而将仿真基片载置在所述载置台的载置面；和除去工序，其在所述仿真基片载置于所述载置台的载置面的状态下，一边利用处理气体的等离子体经由所述仿真基片加热所述载置面，一边利用所述处理气体的等离子体将因所述基片的等离子体处理而产生的反应生成物从所述载置面的周缘部除去。
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