[发明专利]用于磁隧道结的间隔件堆叠件有效
| 申请号： | 201910162848.7 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN110649061B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 刘中伟;蓝锦坤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例描述形成具有金属化合物层的间隔件的示例性方法。该方法包括：在互连层上方形成磁隧道结(MTJ)结构和在磁隧道结结构和互连层上方沉积第一间隔件层。该方法还包括在第一间隔材料，磁隧道结结构和互连层上方沉积第二间隔件层，其中，第二间隔件层比第一间隔件层薄，并包括金属化合物。此外，该方法还包括：在第二间隔件层上方和MTJ结构之间沉积第三间隔件层。第二间隔件比第一间隔件薄。本发明实施例涉及用于磁隧道结的间隔件堆叠件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 隧道 间隔 堆叠 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体结构的方法，包括：/n在互连层上方形成磁隧道结(MTJ)结构；/n在所述磁隧道结结构和所述互连层上方沉积第一间隔件层，其中，蚀刻所述第一间隔件层以暴露所述磁隧道结结构的顶部电极和所述互连层；/n在所述第一间隔件层，所述磁隧道结结构和所述互连层上方沉积第二间隔件层，其中，所述第二间隔件层比所述第一间隔件层薄，并包括金属化合物；以及/n蚀刻所述第二间隔件层以暴露所述磁隧道结结构的顶部电极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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