[发明专利]禁止对FeFET存储器电路进行编程的方法及电路有效
| 申请号： | 201910164141.X | 申请日： | 2015-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110085271B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡·费迪南德·米勒 | 申请（专利权）人： | 纳姆实验有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种禁止对FeFET存储器电路进行编程的方法及电路，该方法包括。通过向未被选择进行编程并且与被选择进行编程的那些FeFET存储器单元相邻的那些FeFET存储器单元的栅极区、源极区和漏极区施加绝对量比编程电压小的电压，来禁止对所述相邻的FeFET存储器单元进行编程，其中所述编程电压根据所述沟道的掺杂类型为正或负；以及在向所述相邻的FeFET存储器单元的所述栅极区、所述源极区和所述漏极区施加所述编程电压期间，将所述块体衬底区域保持在接地状态。 | ||
| 搜索关键词： | 禁止 fefet 存储器 电路 进行 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种禁止对包括多个存储器单元的铁电场效应晶体管FeFET存储器电路进行编程的方法，所述存储器单元包括FeFET，每个FeFET包括栅极堆叠、源极、漏极、沟道和块体衬底区域，其中所述栅极堆叠包括栅极和设置在所述栅极与所述沟道之间的铁电层，所述方法包括：通过向未被选择进行编程并且与被选择进行编程的那些FeFET存储器单元相邻的那些FeFET存储器单元的栅极区、源极区和漏极区施加绝对量比编程电压小的电压，来禁止对所述相邻的FeFET存储器单元进行编程，其中所述编程电压根据所述沟道的掺杂类型为正或负；以及在向所述相邻的FeFET存储器单元的所述栅极区、所述源极区和所述漏极区施加所述编程电压期间，将所述块体衬底区域保持在接地状态。
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