[发明专利]一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法在审
| 申请号： | 201910164295.9 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN109853036A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 陈玉伟;唐惠东;陈小卉;李龙珠;杨蓉;徐立波 | 申请（专利权）人： | 常州工程职业技术学院 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/10;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 朱晓凯 |
| 地址： | 213164 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法，进一步完善了利用湿法蚀刻制备黑硅的工艺，在制备黑硅时选用Fe2+离子，而非传统湿法蚀刻工艺中所用的金、铂或银等贵金属，制备成本明显降低；使用Fe2+相比于使用金、铂或银等贵金属也不会造成严重的环境污染；制备的黑硅反射率低，性能稳定；该方法为提高晶体硅太阳能电池效率和降低生产成本提供了一条新路径，具有良好的经济效应。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 黑硅 贵金属 多晶硅片 湿法蚀刻 线切割 制绒 晶体硅太阳能电池 经济效应 反射率 新路径 离子 | ||
【主权项】：
1.一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法，其特征在于，具体包括以下步骤：(1)将金刚线切割多晶硅片置于含H2O2和乙醇的水溶液中进行预清洗；(2)将硅片置入含2～8wt％HF的水溶液中，静置5～10min，将硅片表面的SiO2溶解，溶液温度为15～50℃；(3)配制含Fe2+、H2O2和HF的水溶液；(4)将经步骤1处理后的硅片置入步骤3配制的溶液中，在多晶硅片表面得到纳米级黑硅绒面；(5)将经步骤4处理后的多晶硅片置于盐酸溶液中，去除硅片表面Fe2+离子；(6)用去离子水清洗硅片，再将硅片吹干。
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