[发明专利]一种智能化SiC半导体基板制备流程

摘要

本发明公开了一种智能化SiC半导体基板制备流程，具体包括以下步骤：S1、选择材料为基础基板，通过在基础基板表层部的Si进行炭化处理而外延生长形成SiC层，将该基础基板在含有氮及氧分子的气体环境下，以970℃—1150℃以上的温度将该表面含有SiC层的基础基板进行热氧化从而形成热氧化膜的同时，再在该基础基板的一个表面导入高浓度的氮，S2、将SiC基板放进烘箱内进行烘烤，本发明涉及SiC半导体基板技术领域。该智能化SiC半导体基板制备流程，通过采用SiC半导体制成的基板可能够实现将电力损失降到最小以及电力变换器的小型化，以及实现能够在高温下工作和高速工作等优秀特性，为后续该半导体基板的正常工作奠定了基础。

主权项

1.一种智能化SiC半导体基板制备流程，其特征在于：具体包括以下步骤：S1、选择材料为基础基板，通过在基础基板表层部的Si进行炭化处理而外延生长形成SiC层，将该基础基板在含有氮及氧分子的气体环境下，以970℃—1150℃以上的温度将该表面含有SiC层的基础基板进行热氧化从而形成热氧化膜的同时，再在该基础基板的一个表面导入高浓度的氮；S2、将SiC基板放进烘箱内进行烘烤，设定温度值为70℃‑100℃，烘烤时间为0.5h‑1h；S3、烘烤结束后，将SiC基板拿出，通过电解清洗去除基板表面的氧化物，减少面铜厚度；S4、使用具有为SiC基板直径至少三倍的表面研磨工具对其进行去毛边打磨处理，保持其表面的光滑性，打磨时间为15min‑30min；S5、将打磨好后的SiC基板放入超声波清洗槽内，设定清洗的时间为15min‑30min，设定结束后，启动超声波发生器，超声波清洗槽内的超声波振板可对清洗槽内的SiC基板进行超声波清洗；S6、SiC基板清洗结束后，将SiC基板从超声波清洗槽内取出即可，再将SiC基板放置干燥通风处，静置10min‑25min后，再将其放入干燥箱内，设定干燥时间为15min‑30min；S7、干燥工作结束后，将其SiC基板送入质检部门，检查其总体质量，质量检测完毕且确认无误后，再送入包装部门，进行干燥真空包装，包装好后，即可出货。