[发明专利]一种快速提高垂直磁各向异性的方法有效
| 申请号： | 201910164964.2 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN110021702B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 于广华;冯春;徐秀兰 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供一种快速提高垂直磁各向异性的方法，属于磁性材料技术领域。先通过磁控溅射仪器在室温下氩气环境下磁控溅射沉积制备CoFeB/MgO结构的薄膜磁性异质结材料；然后将制备的薄膜磁性异质结材料在超高真空的反应装置内快速退火，最终获得良好垂直磁各向异性的薄膜磁性异质结材料。本发明通过对简单膜层结构的薄膜磁性异质结材料在超高真空1×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 快速 提高 垂直 各向异性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种快速提高垂直磁各向异性的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、通过磁控溅射仪器在室温下氩气环境下磁控溅射沉积制备CoFeB/MgO结构的薄膜磁性异质结材料；S2、将S1制备的薄膜磁性异质结材料在超高真空的反应装置内快速退火，最终获得良好垂直磁各向异性的薄膜磁性异质结材料。
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