[发明专利]一种基于氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽的三层异质阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910166030.2 | 申请日： | 2019-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN109888092B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;李闯;王芳;魏俊青;沈稼强;邸希超 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 天津耀达律师事务所 12223 | 代理人： | 张耀 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种基于氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽的三层异质阻变存储器及其制备方法，由上电极Ru、阻变层氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽和下电极TiN构成，上下氧化钽层成分均为TaOx，其中2x2.5,氧化钽介质层厚度为10‑50nm，且上下氧化钽层厚度相同；黒砷磷介质层成分为b‑AsP，厚度为0.85‑10nm。本发明优点：1)该结构将新型二维材料黒砷磷引入阻变层，丰富了阻变存储中的介质层材料体系，拓展了二维黒砷磷的应用领域；2)该阻变器件为单纯的垂直叠层结构，工艺简单、成本低廉并且易于集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 二维 黒砷磷 三层 异质阻变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽的三层异质阻变存储器，其特征在于：由上电极Ru、阻变层氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽叠层和下电极TiN构成，其中两层氧化钽层分别为同种方法、同种成分相同条件下制备的氧化钽薄膜,成分为TaOx，2<x<2.5，厚度为10‑50nm，且厚度相同；黒砷磷介质层成分为b‑AsP，厚度为0.85‑10nm。
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