[发明专利]一种双极型阈值选通器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910166048.2 | 申请日： | 2019-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN109888093A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;黄金荣;王芳;李文习;董凯飞;单欣 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 天津耀达律师事务所 12223 | 代理人： | 张耀 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双极型阈值选通器及其制备方法，属于存储器集成领域。该双极型阈值选通器包括：经氧化制备的SiO2衬底，衬底上方的粘附层，下电极，绝缘介质层，储氧层，上电极。其中储氧层为通过退火氧化形成的氧化层，其分别为导电细丝的形成和断裂供给及储存氧空位；且能够充当阻挡层，防止上电极在溅射过程中对阻变层形成的离子注入现象。绝缘介质层材料为二元氧化物，其与储氧层的氧原子化学计量比不同。本发明器件具有双向选通的作用，能够有效抑制三维结构及交叉阵列阻变存储器中的泄露电流，是一种具有极大应用前景的的选通器件。 | ||
| 搜索关键词： | 储氧层 双极型 选通器 制备 电极 衬底 绝缘介质层材料 退火 存储器集成 二元氧化物 化学计量比 绝缘介质层 阻变存储器 导电细丝 发明器件 交叉阵列 三维结构 泄露电流 选通器件 有效抑制 下电极 氧化层 氧空位 氧原子 粘附层 阻变层 阻挡层 溅射 选通 离子 断裂 储存 应用 | ||
【主权项】：
1.一种双极型阈值选通器，其特征是：其结构由：Si衬底,SiO2氧化层，Ti粘附层，下电极，绝缘介质层，储氧层，上电极依次叠加构成；其中储氧层与绝缘介质层位置可互换。
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