[发明专利]一种基于有机/无机杂化钙钛矿的两端人造突触电子器件的制备方法

摘要

一种基于有机/无机杂化钙钛矿的两端人造突触电子器件的制备方法，属于电子器件领域。制备步骤为：对高掺杂的硅衬底进行预处理，将配置好的钙钛矿溶液旋涂在衬底上，经退火处理得到结晶性良好的钙钛矿薄膜，然后蒸镀金属顶电极，制备得到两端钙钛矿人造突触电子器件。该钙钛矿人造突触以顶电极模拟生物突触前膜，钙钛矿活性层模拟突触间隙，底电极模拟突触后膜，对外界电脉冲信号具有较高的灵敏度(100mV)，且实现了双脉冲易化、尖峰电压依赖可塑性、尖峰持续依赖可塑性和尖峰频率依赖可塑性。本发明不但有效地简化了钙钛矿两端人造突触的基本结构，而且提高了灵敏度，降低了能耗，对神经形态工程学及类人型机器人的发展具有重要意义。

主权项

1.一种基于有机/无机杂化钙钛矿的两端人造突触电子器件的制备方法，其特征在于器件所用活性层为钙钛矿材料；依次包括如下步骤：1)高掺杂硅衬底经丙酮溶液和异丙醇IPA溶液超声清洗，将异丙醇溶液加热至沸腾，用异丙醇热蒸汽熏蒸衬底表面，然后用N₂将其表面吹干；2)将溴化铅PbBr₂和甲基氯化胺MACl或者甲基溴化胺MABr混合后溶于二甲基甲酰胺DMF和二甲基亚砜DMSO的混合溶剂中，然后将混合物置于磁力搅拌器上搅拌至澄清透明，配置成钙钛矿溶液MAPbClBr₂或者MAPbBr₃；3)将步骤1)所得硅衬底置于紫外臭氧清洗机中处理，取步骤2)中配置的钙钛矿溶液于所得的硅衬底上，经旋涂并滴加反溶剂氯苯，旋涂结束后，将钙钛矿薄膜置于加热板上，退火后冷却至室温，获得钙钛矿薄膜；4)利用掩模板，在步骤3)获得的钙钛矿薄膜表面蒸镀金电极，制备得到钙钛矿两端人造突触电子器件；5)用半导体分析仪对步骤4)中获得的钙钛矿两端人造突触电子器件进行电学性能测试，通过调节输入的脉冲信号，实现该人造突触对生物突触功能性行为的模拟。