[发明专利]耐高温QFN封装结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种耐高温QFN封装结构的制备方法，QFN封装结构包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片位于散热焊盘上，且所述芯片与散热焊盘之间设有银浆层，位于散热焊盘周边设有若干个导电焊盘，所述导电焊盘和芯片通过一引线连接，包括以下步骤：S1.先将硅微粉和阻燃剂与γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷混合均匀，进行表面处理；S2.再加入环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚和脱模剂。本发明在保证良好力学性能的前提下，兼具有优秀的耐热性能，玻璃化温度达190~230℃，可满足大功率高发热芯片封装的要求。

主权项

1.一种耐高温QFN封装结构的制备方法，其特征在于：所述耐高温QFN封装结构包括位于环氧绝缘体（6）中的散热焊盘（1）、芯片（3）和导电焊盘（4），所述芯片（3）位于散热焊盘（1）上，且所述芯片（3）与散热焊盘（1）之间设有银浆层（2），位于散热焊盘（1）周边设有若干个导电焊盘（4），所述导电焊盘（4）和芯片（3）通过一引线（5）连接；所述散热焊盘（1）远离芯片（3）的一侧开有分隔槽（11），所述分隔槽（11）宽度为0.1~0.3mm，所述分隔槽（11）将散热焊盘（1）远离芯片（3）的一侧等分分隔形成至少2块焊盘单体（13），所述分隔槽（11）中填充有导热绝缘条（12），所述分隔槽（11）槽壁上开有若干个延伸至散热焊盘（1）内的T形槽（111），所述导热绝缘条（12）上设有填充于T形槽（111）中的T形部（121）；所述环氧绝缘体（6）的原料的制备方法包括以下步骤：S1. 先将硅微粉60~90份和阻燃剂10~25份与γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷3~8份混合均匀，进行表面处理；S2. 再加入环氧树脂80~100份、线型酚醛树脂45~60份、液体丁腈橡胶15~20份、二苯基甲烷二异氰酸酯6~10份、焦碳酸二乙酯3~8份、磷酸二苄酯2~6.5份、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺0.3~2份、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚0.5~4份和脱模剂2~5份，混合均匀；S3. 将混合物于90~110℃混炼3~5分钟，产物冷却后粉碎过筛，以上份数均为重量份。