[发明专利]一种可宏观识别晶片晶畴分布范围的检测方法

摘要

本发明公开了一种可宏观识别晶片晶畴分布范围的检测方法，该方法采用高分辨率X射线衍射仪，采取对晶片进行摇摆曲线面扫描的方式对整个晶片进行测试，然后对测试摇摆曲线半高宽数值进行拟合，并通过半高宽数值分布规律判断出晶畴的分布情况。采用高分辨X射线衍射仪可实现测试及峰值拟合工作。本方法适用性强，通用性好，自动化程度高，方便快捷有效降低人工时间成本；同时采用HRXRD测试对样品无需特殊处理，操作流程简便，同时可以实现晶片整片区域测试，实现宏观判断晶畴的分布情况，对于半导体衬底质量检测以及外延工艺了解衬底情况具有重要意义。

主权项

1.一种可宏观识别晶片晶畴分布范围的检测方法，其特征在于，该方法采用高分辨率X射线衍射仪，采取对晶片进行摇摆曲线面扫描的方式对整个晶片进行测试，然后对测试摇摆曲线半高宽数值进行拟合，并通过半高宽数值分布规律判断出晶畴的分布情况；其步骤如下：步骤一：首先对被测晶片进行表面缺陷测试，并记录晶片宏观缺陷分布的范围，用于排除后续对晶片进行判断晶畴分布情况的干扰因素；步骤二：测试准备及样品预处理，记录样品基本信息以便确定测试区域；步骤三：设置测试程序；步骤四：测试，根据设置的测试程序进行摇摆曲线面扫描；步骤五：数据采集，采用数据分析软件对测试的半高宽数值拟合处理，获得半高宽分布规律拟合图；步骤六：数据分析，设半高宽分布规律拟合图中覆盖测试面积50%以上区域的半高宽最大值为n，从半高宽分布规律拟合图中识别出半高宽值≥2n的区域，该区域均为晶畴聚集区域；步骤七：数据验证，在识别出的晶畴聚集区域中选取对应测试点的摇摆曲线原始数据图谱，若该摇摆曲线原始数据图谱为非单峰、双峰或多峰中的一种，则该测试点所在区域为晶畴聚集区域；步骤八：晶畴区域确认，将已确认的晶畴聚集区域与表面缺陷状态进行对比，若符合步骤六、步骤七中的判定条件且无表面缺陷的区域，最终认定为晶畴密集分布区域。