[发明专利]一种光栅式的面入射型光探测器有效
申请号: | 201910168487.7 | 申请日: | 2019-03-06 |
公开(公告)号: | CN111668338B | 公开(公告)日: | 2023-09-22 |
发明(设计)人: | 曾治国;陈国良;李显尧;孙雨舟;萧越 | 申请(专利权)人: | 苏州旭创科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/103 | 分类号: | H01L31/103;H01L31/054;H01L31/0216;H01L31/0224 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请公开了一种光栅式的面入射型光探测器,包括:衬底;光栅主动层,设于所述衬底上,所述光栅主动层包括多个光栅凸起;所述衬底上靠近所述光栅主动层的上表层形成掺杂层,所述掺杂层包括多个交替排列的P型掺杂电极和N型掺杂电极,相邻的P型掺杂电极和N型掺杂电极之间具有未掺杂硅区域;所述光栅凸起覆盖所述未掺杂硅区域和所述未掺杂硅区域两侧的P型掺杂电极的一侧和N型掺杂电极的一侧。本申请采用光学光栅式的增强吸收层和硅层接触电极的设计,实现了面入射的光耦合方式,避免了波导式光探测器受光耦合器限制的问题,实现了高速、低暗电流、低损耗、偏振不敏感的高灵敏度光探测器,而且具有更大的光接收角度。 | ||
搜索关键词: | 一种 光栅 入射 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的