[发明专利]硅基异质结太阳电池的制备方法及镀膜设备在审
| 申请号： | 201910168488.1 | 申请日： | 2019-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111668349A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 石建华;孟凡英;刘正新 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/0747;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/08 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅基异质结太阳电池的制备方法及镀膜设备，方法包括依次形成堆叠设置的第一透明导电氧化物缓冲层及第一透明导电氧化物主导层；依次形成堆叠设置的第二透明导电氧化物缓冲层及第二透明导电氧化物主导层；其中，第一透明导电氧化物缓冲层及第二透明导电氧化物缓冲层采用射频磁控溅射源制备，第一透明导电氧化物主导层及第二透明导电氧化物主导层采用直流磁控溅射源制备；所述镀膜设备包括：至少两个射频磁控溅射源，以形成第一缓冲层及第二缓冲层；至少两个直流磁控溅射源，以在第一缓冲层上制备第一主导层及在第二缓冲层上制备第二主导层；具有低成本、高稳定性、方法兼容的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基异质结 太阳电池 制备 方法 镀膜 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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