[发明专利]垂直光电二极管有效
| 申请号： | 201910169544.3 | 申请日： | 2019-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN110246915B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | C·鲍多特;S·克勒梅;N·维利耶;D·佩利谢尔-塔农 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0224;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及垂直光电二极管。垂直光电二极管包括有源区。用于二极管端子的接触焊盘远离有源区横向移位，以便不位于有源区的上方或下方。有源区由锗区的本征的下部分和锗区的用第一导电类型掺杂的上部分而形成在半导体材料层中。垂直光电二极管光学地耦合到在半导体材料层中形成的波导。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 光电二极管 | ||
【主权项】：
1.一种垂直光电二极管，包括：有源区，包括具有上表面和下表面的二极管；以及第一接触焊盘和第二接触焊盘，电耦合到所述上表面和所述下表面，其中所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘位于远离所述有源区横向移位的位置处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
