[发明专利]一种锆钛酸铅/氧化镍铁电超晶格薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201910170201.9 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN109797367B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 宁兴坤;伞星源;陈明敬;赵国庆;刘鹏;王江龙;王淑芳;傅广生 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 苏艳肃 |
| 地址： | 071002 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种锆钛酸铅/氧化镍铁电超晶格薄膜材料及其制备方法，所述铁电超晶格薄膜材料包括锆钛酸铅薄膜和氧化镍薄膜，所述锆钛酸铅薄膜与氧化镍薄膜逐层交替外延生长，锆钛酸铅层的单层厚度为10 u.c.，氧化镍层的单层厚度为1~10 u.c.。铁电超晶格薄膜材料的总厚度为80~160 nm。所述锆钛酸铅/氧化镍铁电超晶格薄膜材料是采用脉冲激光沉积技术制得的。本发明铁电超晶格材料的制备工艺简单，所得锆钛酸铅/氧化镍铁电超晶格薄膜材料兼具优良的铁电性能和介电性能，有效提高了铁电超晶格薄膜材料的综合性能，且生产成本低，在铁电集成微电子器件领域应用前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锆钛酸铅 氧化 镍铁电超 晶格 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电超晶格薄膜材料，其特征在于，包括锆钛酸铅薄膜和氧化镍薄膜，所述锆钛酸铅薄膜与氧化镍薄膜逐层交替外延生长，锆钛酸铅层的单层厚度为10 u.c.，氧化镍层的单层厚度为1~10 u.c.。
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