[发明专利]图像模式识别模拟与数字混合忆阻设备及制备，实现STDP学习规则和图像模式识别方法有效
| 申请号： | 201910171142.7 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN109978019B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王中强;林亚;汪聪;任衍允;赵晓宁;徐海阳;刘益春 | 申请（专利权）人： | 东北师范大学 |
| 主分类号： | G06V10/75 | 分类号： | G06V10/75;G06V10/82;G06N3/049;G06N3/065;G06N3/08 |
| 代理公司： | 北京神州华茂知识产权有限公司 11358 | 代理人： | 吴照幸 |
| 地址： | 130024 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种图像模式识别模拟与数字混合忆阻设备及制备，实现STDP学习规则和图像模式识别方法，包括底电极，顶电极，位于两电极之间的氧化钨薄膜组成的阻变功能层，该薄膜由磁控溅射生长；在小电压刺激下设备呈现模拟型阻变，在大电压下刺激下设备呈现数字型阻变，并且通过信号设计两种阻变行为都能实现STDP学习规则和图像模式识别。本发明实现STDP学习规则和图像模式识别方法，通过电压调整界面电阻和体电阻，在单个Au/WOx/Ti忆阻设备件中演示了模拟与数字阻变行为，并且在该忆阻系统中实现可调节的学习精度和速度模拟模式识别。 | ||
| 搜索关键词： | 图像 模式识别 模拟 数字 混合 设备 制备 实现 stdp 学习 规则 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像模式识别的模拟与数字混合忆阻设备，其特征在于：包括底电极，顶电极，位于两电极之间的氧化钨薄膜组成的阻变功能层，该薄膜由磁控溅射生长；在小电压刺激下设备呈现模拟型阻变，在大电压下刺激下设备呈现数字型阻变，并且通过信号设计两种阻变行为都能实现STDP学习规则和图像模式识别。
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