[发明专利]基于Fe3N/GaN异质结构的自旋发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910171314.0 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN109860352A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 方贺男;彭祥;李影;陶志阔 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 210023*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 基于Fe3N/GaN异质结构的自旋发光二极管及其制备方法，所述自旋发光二极管结构上自下而上包括：基板、粘结层、P电极、P‑GaN层、有源层、N‑GaN层、Fe3N薄膜层、电极；所述制备方法，包括如下步骤：步骤1，使用商业GaN基普通发光二极管作为本底二极管，其结构包括基板、粘结层、P电极、P‑GaN层、有源层、N‑GaN层；步骤2，在步骤1中的GaN基普通发光二极管上利用磁控溅射方法溅射一层(002)取向的Fe3N薄膜层；步骤3，将步骤2中所得的样品表面利用标准技术制备Cr/Cu欧姆接触电极。本发明通过自旋注入层材料的选择，使得自旋注入层与自旋输运层的电导更匹配，进而提高自旋注入效率。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 自旋发光二极管 发光二极管 自旋注入层 异质结构 薄膜层 粘结层 基板 源层 自旋 欧姆接触电极 二极管 标准技术 磁控溅射 样品表面 注入效率 电极 输运层 电导 溅射 取向 匹配 | ||
【主权项】：
1.基于Fe3N/GaN异质结构的自旋发光二极管及其制备方法，其特征在于：所述自旋发光二极管，结构上自下而上包括：基板、粘结层、P电极、P‑GaN层、有源层、N‑GaN层、Fe3N薄膜层、电极；所述制备方法，包括如下步骤：步骤1，使用商业GaN基普通发光二极管作为本底二极管，其结构包括基板、粘结层、P电极、P‑GaN层、有源层、N‑GaN层；步骤2，在步骤1中的GaN基普通发光二极管上利用磁控溅射方法溅射一层(002)取向的Fe3N薄膜层；步骤3，将步骤2中所得的样品表面利用标准技术制备Cr/Cu欧姆接触电极。
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