[发明专利]一种高抗蚀性富高丰度稀土永磁体及制备方法有效

专利信息
申请号: 201910171586.0 申请日: 2019-03-07
公开(公告)号: CN109859920B 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 张玉晶;姚旻皓;徐锋;缪雪飞 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F41/02
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 邹伟红
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于永磁材料技术领域,特别是一种高抗蚀性富高丰度稀土永磁体及制备方法。一种高抗蚀性富高丰度稀土永磁体,包括强磁性相和晶界富稀土相,其中强磁性相为MM‑Fe‑B相,晶界富稀土相为MM‑Fe相。一种制备上述的永磁体的方法,所述方法通过双合金工艺,分别制备MM‑Fe‑B主相合金和MM‑Fe辅合金,分别熔炼、破碎制粉;将制得的MM‑Fe辅合金粉末按照所占质量百分比为1%‑5%的比例添加到主合金中均匀混合;取向压型、烧结、热处理,得到最终烧结磁体。晶界引入MM‑Fe不仅可以优化晶界富稀土相的分布,部分替换原有易蚀晶界相,提高MM‑Fe‑B磁体的本征耐蚀性能,而且本方法进一步提高了价格低廉的稀土La/Ce在磁体中的占比,降低材料成本,而且工艺过程简单,适合规模化生产。
搜索关键词: 一种 高抗蚀性富高丰度 稀土 永磁体 制备 方法
【主权项】:
1.一种高抗蚀性富高丰度稀土永磁体,其特征在于,包括强磁性相和晶界富稀土相,其中强磁性相为MM‑Fe‑B相,晶界富稀土相为MM‑Fe相。
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