[发明专利]一种基于单晶铜的降低高频电路损耗的方法在审
| 申请号： | 201910171876.5 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN109949964A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 刘开辉;尚念泽;俞大鹏;王恩哥 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01B1/02 | 分类号： | H01B1/02;C30B29/02 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 苏爱华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于单晶铜的降低电路损耗的方法。单晶铜是由一个晶粒长大而形成，因此没有晶界，并且晶格缺陷较少。相对于多晶铜而言，单晶铜具有更好的导电性能和传输特性，从而具有卓越的降低能量损耗的效果。本发明提出的一种基于单晶铜的降低电路损耗方法，包括但不限于将单晶铜应用作高频电缆、导线和集成电路等电路的制作材料，以降低电路的能量损耗和高频信号传输损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶铜 电路损耗 能量损耗 电路 高频信号传输 传输特性 导电性能 高频电缆 高频电路 晶格缺陷 晶粒长大 制作材料 多晶 晶界 集成电路 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于单晶铜的降低高频电路损耗的方法，其特征在于：通过将单晶铜应用作电路制作材料，降低电路的能量损耗。
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