[发明专利]一种基于单晶二维材料/单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法有效
| 申请号： | 201910171877.X | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN110616454B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 刘开辉;张智宏;王恩哥;俞大鹏 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B1/02 | 分类号： | C30B1/02;C30B29/02;C30B29/40;C30B25/18;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 苏爱华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于单晶二维材料/单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法。所述单晶二维材料为单晶石墨烯或单晶氮化硼，所述方法为用单晶二维材料/单晶铜的复合结构为外延基底，在其上外延生长金属，获得单晶金属薄膜。所述金属包括但不限于金、银、铜、铂、钯、钨、铁、铬、钴、镍。本发明提出的方法，解决了单晶金属薄膜制备方法复杂、尺寸小、难剥离、价格极为昂贵的问题，通过非常简单的方法，实现了大尺寸的单晶金属薄膜的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 材料 单晶铜 垂直 外延 金属 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于单晶二维材料/单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法，其特征在于，用单晶二维材料/单晶铜为基底，在其上外延生长金属，获得单晶金属薄膜。/n
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