[发明专利]一种芯片、信号位移电路及电子设备

摘要

本申请公开了一种芯片及信号位移电路，应用于充电器或适配器等移动终端上，该芯片合封有采用硅基工艺制作的第一硅基驱动裸片和第二硅基驱动裸片，以及采用氮化镓工艺制作的第一氮化镓裸片和第二氮化镓裸片，第一硅基驱动裸片与控制器的两个输出端连接，第一硅基驱动裸片上集成有第一硅基电路，第二硅基驱动裸片集成有第二硅基电路，第一氮化镓裸片上集成有氮化镓电路，氮化镓电路耐高压，第一硅基电路接收控制器输出的脉冲信号HI，并将HI传递到氮化镓电路；氮化镓电路分担第二硅基电路的输入电压VB，并将HI传递到第二硅基电路。这样可以确保采用低压硅基工艺制作的低压第二硅基驱动裸片不被高输入电压损坏，从而降低了芯片的成本。

主权项

1.一种芯片，其特征在于，所述芯片与控制器连接，所述芯片包括：第一硅基驱动裸片、第二硅基驱动裸片、第一氮化镓裸片和第二氮化镓裸片，其中，所述第一硅基驱动裸片与所述第一氮化镓裸片连接，所述第二硅基驱动裸片与所述第二氮化镓裸片连接，所述第一氮化镓裸片与所述第二硅基驱动裸片连接；所述第一硅基驱动裸片与所述控制器的第一输出端和第二输出端连接，所述第一输出端输出的脉冲信号用于驱动所述高侧氮化镓功率管，所述第二输出端输出的脉冲信号用于驱动所述低侧氮化镓功率管；所述第一硅基驱动裸片上集成有第一硅基电路，所述第二硅基驱动裸片集成有第二硅基电路，所述第一氮化镓裸片上集成有氮化镓电路和低侧氮化镓功率管，所述第二氮化镓裸片上集成有高侧氮化镓功率管，所述氮化镓电路耐高压；所述第一硅基电路与所述氮化镓电路连接，所述氮化镓电路与所述第二硅基电路连接；所述第一硅基电路接收所述第一输出端输出的脉冲信号，并将所述脉冲信号传递到所述氮化镓电路；所述氮化镓电路用于分担所述第二硅基电路的输入电压VB；所述氮化镓电路将所述脉冲信号传递到所述第二硅基电路。