[发明专利]半导体结构的制造方法及制造半导体结构的遮罩在审
申请号: | 201910172483.6 | 申请日: | 2019-03-07 |
公开(公告)号: | CN111221227A | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 施信益;倪玉梅;刘士亿 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42;H01L21/027 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋洋;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供一种半导体结构的制造方法和制造半导体结构的遮罩。该制造方法包括:提供一基底以及在该基底上形成一光刻胶;在该光刻胶上放置一遮罩;经由该遮罩,将该光刻胶暴露在一预定电磁辐射中;以及将该光刻胶的暴露在该预定电磁辐射中的至少一部位进行移除。该遮罩包括一第一部位、一第二部位以及一第三部位,该第一部位被配置为完全允许该预定电磁辐射穿透,该第二部位被配置为部分地允许该预定电磁辐射穿透,该第三部位被配置为阻挡该预定电磁辐射,而该第二部位为位于该第一部位与该第三部位之间。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司,未经南亚科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910172483.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。