[发明专利]半导体结构的制造方法及制造半导体结构的遮罩在审

专利信息
申请号: 201910172483.6 申请日: 2019-03-07
公开(公告)号: CN111221227A 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 施信益;倪玉梅;刘士亿 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: G03F7/42 分类号: G03F7/42;H01L21/027
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 宋洋;黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本公开提供一种半导体结构的制造方法和制造半导体结构的遮罩。该制造方法包括:提供一基底以及在该基底上形成一光刻胶;在该光刻胶上放置一遮罩;经由该遮罩,将该光刻胶暴露在一预定电磁辐射中;以及将该光刻胶的暴露在该预定电磁辐射中的至少一部位进行移除。该遮罩包括一第一部位、一第二部位以及一第三部位,该第一部位被配置为完全允许该预定电磁辐射穿透,该第二部位被配置为部分地允许该预定电磁辐射穿透,该第三部位被配置为阻挡该预定电磁辐射,而该第二部位为位于该第一部位与该第三部位之间。
搜索关键词: 半导体 结构 制造 方法
【主权项】:
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