[发明专利]图形化方法及其形成的半导体器件有效
| 申请号： | 201910172885.6 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN111668099B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 施维;胡友存;汤霞梅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/266;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种图形化方法及其形成的半导体器件，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成第一初始掩膜层；在第二区的部分第一初始掩膜层中掺杂离子，形成第二分割掺杂掩膜层，且使得沿第二方向分别位于第二分割掺杂掩膜层两侧的第二区的第一初始掩膜层形成为第二牺牲掩膜层，第二方向垂直于第一方向；在第一区的部分第一初始掩膜层中掺杂离子，形成第一分割掺杂掩膜层，且使得沿第二方向分别位于第一分割掺杂掩膜层两侧的第一区的第一初始掩膜层形成为第一牺牲掩膜层；去除第一区的第一牺牲掩膜层，在第一初始掩膜层第一区内形成若干分立的第一槽；形成第一分割掺杂掩膜层后，刻蚀去除第二牺牲掩膜层。所述图形化方法的可靠性得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 方法 及其 形成 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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