[发明专利]一种刻蚀设备及刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910172934.6 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN111668081A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 朱本均 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/20 | 分类号： | H01J37/20;H01J37/30;H01J37/305;H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种刻蚀设备及刻蚀方法，该刻蚀设备包括等离子体发生器、匀流盘、遮挡板组件及晶圆移动组件，其中，遮挡板组件可开合地设置于等离子体发生器与所述匀流盘之间，当遮挡板组件开启时，形成一窗口以暴露出匀流盘的一部分，以容许等离子体通过窗口到达匀流盘；晶圆移动组件设置于所述流盘下方，用于承载待刻蚀晶圆并带动待刻蚀晶圆移动，使晶圆的待刻蚀区域按照预设路径经过匀流盘被窗口暴露的部分的下方区域，并被通过匀流盘的等离子体刻蚀。本发明可以提高刻蚀均匀性，也能够在一定程度上减少备件成本和设备维护工作量，并降低射频功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 设备 方法 | ||
【主权项】：
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