[发明专利]透镜盖、具有透镜盖的光电二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201910173143.5 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN110265490A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | R·海特乐;R·诺泽;G·米特梅尔 | 申请（专利权）人： | 肖特股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0203 | 分类号： | H01L31/0203;H01L31/0232;H01L31/102 |
| 代理公司： | 北京思益华伦专利代理事务所(普通合伙) 11418 | 代理人： | 赵飞;彭臻臻 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 具有透镜盖的光电二极管，光电二极管包括具有光电二极管有源面区域的底座，其中，光电二极管有源面区域具有直径dF；还包括具有熔接透镜的盖，其中，熔接透镜在盖的上表面的俯视图中具有直径dL。熔接透镜的直径与光电二极管有源面区域的直径的比例dL/dF大于30。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 透镜 面区域 透镜盖 熔接 俯视图 上表面 底座 制造 | ||
【主权项】：
1.一种具有透镜盖的光电二极管，所述光电二极管包括具有光电二极管有源面区域的底座，其中，所述光电二极管有源面区域具有直径dF；还包括具有熔接透镜的盖，其中，所述熔接透镜在所述盖的上表面的俯视图中具有直径dL；其中，所述熔接透镜的直径与所述光电二极管有源面区域的直径的比例dL/dF大于30、优选大于35、特别优选大于40。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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