[发明专利]分栅快闪存储器的形成方法及分栅快闪存储器

摘要

本发明提供了一种分栅快闪存储器的制造方法及分栅快闪存储器，分栅快闪存储器，包括：衬底、衬底氧化层、功能层、第一侧墙结构、共享字线及第二侧墙结构。其中所述功能层包括一浮栅层，自所述浮栅层露出的表面向所述浮栅层中掺杂补偿离子，所述浮栅层中具有原始离子，所述原始离子与所述补偿离子在所述浮栅层中靠近所述第二侧墙结构处形成电压势垒，所述电压势垒使得所述分栅快闪存储器中形成内置电场，内置电场的存在可以有效的阻止电子往所述外侧墙结构运动，大大减少了电子从所述外侧墙结构逃离的几率，从而提高了共享字线的分栅快闪存储器数据保持能力。

主权项

1.一种分栅快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成有衬底氧化层及功能层，所述功能层包括依次形成于所述衬底氧化层上的浮栅层、ONO膜层、控制栅层及第一氮化硅层，其中，所述浮栅层中具有原始离子；刻蚀所述功能层至所述衬底氧化层表面以形成第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁上形成第一侧墙结构；形成共享字线，所述共享字线填充所述第一沟槽；刻蚀所述第一氮化硅层、所述控制栅层及所述ONO膜层至所述浮栅层表面；自所述浮栅层露出的表面向所述浮栅层中掺杂补偿离子，以在所述原始离子与所述补偿离子的交界处形成电压势垒；刻蚀所述浮栅层中露出的部分至所述衬底氧化层表面；以及在所述衬底氧化层上形成第二侧墙结构，所述第二侧墙结构覆盖所述功能层的侧壁。