[发明专利]一种AlGaN紫外雪崩光电二极管探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种AlGaN紫外雪崩光电二极管探测器，包括衬底，在衬底上生长的外延结构；所述外延结构包括i型AlmGa1‑mN/AlnGa1‑nN超晶格倍增层；所述i型AlmGa1‑mN/AlnGa1‑nN超晶格倍增层呈梯度阱厚结构，由较低Al组分的AlmGa1‑mN阱层和较高Al组分的AlnGa1‑nN垒层循环交替构成，AlnGa1‑nN垒层厚度保持不变，AlmGa1‑mN阱层厚度由衬底侧至上逐渐增加。其有益效果在于：本发明提供的光电二极管探测器不仅可以获得更高的增益，而且有利于抑制过剩噪声，降低雪崩工作电压，增强器件工作时的可靠性；同时，本发明也提供了所述光电二极管探测器的制备方法，其制备方法简单可行。

主权项

1.一种AlGaN紫外雪崩光电二极管探测器，其特征在于，包括衬底(101)，在衬底上生长的外延结构；所述外延结构由衬底向上依次为i型AlN缓冲层(102)、i型AlGaN过渡层(103)、n型Al_xGa_1‑xN欧姆接触层(104)、i型Al_yGa_1‑yN吸收层(105)、n型Al_yGa_1‑yN电荷层(106)、i型Al_mGa_1‑mN/Al_nGa_1‑nN超晶格倍增层(107)、p型Al_yGa_1‑yN欧姆接触层(108)；所述光电二极管探测器还包括欧姆接触电极，所述欧姆接触电极包括从所述n型Al_xGa_1‑xN欧姆接触层(104)上引出的n型欧姆接触电极(109)和从所述p型Al_yGa_1‑yN欧姆接触层(108)上引出的p型欧姆接触电极(110)；所述i型Al_mGa_1‑mN/Al_nGa_1‑nN超晶格倍增层(107)呈梯度阱厚结构，由较低Al组分的Al_mGa_1‑mN阱层(202)和较高Al组分的Al_nGa_1‑nN垒层(201)循环交替构成，Al_nGa_1‑nN垒层(201)厚度保持不变，Al_mGa_1‑mN阱层(202)厚度由衬底侧至上逐渐增加。