[发明专利]一种AlGaN紫外雪崩光电二极管探测器及其制备方法有效
申请号: | 201910174876.0 | 申请日: | 2019-03-08 |
公开(公告)号: | CN110047955B | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 江灏;颜欢;邱新嘉 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L31/0304 | 分类号: | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/107;H01L31/18 |
代理公司: | 广州润禾知识产权代理事务所(普通合伙) 44446 | 代理人: | 林伟斌;张柳 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: |
本发明提供了一种AlGaN紫外雪崩光电二极管探测器,包括衬底,在衬底上生长的外延结构;所述外延结构包括i型Al |
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搜索关键词: | 一种 algan 紫外 雪崩 光电二极管 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种AlGaN紫外雪崩光电二极管探测器,其特征在于,包括衬底(101),在衬底上生长的外延结构;所述外延结构由衬底向上依次为i型AlN缓冲层(102)、i型AlGaN过渡层(103)、n型AlxGa1‑xN欧姆接触层(104)、i型AlyGa1‑yN吸收层(105)、n型AlyGa1‑yN电荷层(106)、i型AlmGa1‑mN/AlnGa1‑nN超晶格倍增层(107)、p型AlyGa1‑yN欧姆接触层(108);所述光电二极管探测器还包括欧姆接触电极,所述欧姆接触电极包括从所述n型AlxGa1‑xN欧姆接触层(104)上引出的n型欧姆接触电极(109)和从所述p型AlyGa1‑yN欧姆接触层(108)上引出的p型欧姆接触电极(110);所述i型AlmGa1‑mN/AlnGa1‑nN超晶格倍增层(107)呈梯度阱厚结构,由较低Al组分的AlmGa1‑mN阱层(202)和较高Al组分的AlnGa1‑nN垒层(201)循环交替构成,AlnGa1‑nN垒层(201)厚度保持不变,AlmGa1‑mN阱层(202)厚度由衬底侧至上逐渐增加。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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