[发明专利]一种AlGaN紫外雪崩光电二极管探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910174876.0 申请日: 2019-03-08
公开(公告)号: CN110047955B 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 江灏;颜欢;邱新嘉 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01L31/0304 分类号: H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/107;H01L31/18
代理公司: 广州润禾知识产权代理事务所(普通合伙) 44446 代理人: 林伟斌;张柳
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种AlGaN紫外雪崩光电二极管探测器,包括衬底,在衬底上生长的外延结构;所述外延结构包括i型AlmGa1‑mN/AlnGa1‑nN超晶格倍增层;所述i型AlmGa1‑mN/AlnGa1‑nN超晶格倍增层呈梯度阱厚结构,由较低Al组分的AlmGa1‑mN阱层和较高Al组分的AlnGa1‑nN垒层循环交替构成,AlnGa1‑nN垒层厚度保持不变,AlmGa1‑mN阱层厚度由衬底侧至上逐渐增加。其有益效果在于:本发明提供的光电二极管探测器不仅可以获得更高的增益,而且有利于抑制过剩噪声,降低雪崩工作电压,增强器件工作时的可靠性;同时,本发明也提供了所述光电二极管探测器的制备方法,其制备方法简单可行。
搜索关键词: 一种 algan 紫外 雪崩 光电二极管 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种AlGaN紫外雪崩光电二极管探测器,其特征在于,包括衬底(101),在衬底上生长的外延结构;所述外延结构由衬底向上依次为i型AlN缓冲层(102)、i型AlGaN过渡层(103)、n型AlxGa1‑xN欧姆接触层(104)、i型AlyGa1‑yN吸收层(105)、n型AlyGa1‑yN电荷层(106)、i型AlmGa1‑mN/AlnGa1‑nN超晶格倍增层(107)、p型AlyGa1‑yN欧姆接触层(108);所述光电二极管探测器还包括欧姆接触电极,所述欧姆接触电极包括从所述n型AlxGa1‑xN欧姆接触层(104)上引出的n型欧姆接触电极(109)和从所述p型AlyGa1‑yN欧姆接触层(108)上引出的p型欧姆接触电极(110);所述i型AlmGa1‑mN/AlnGa1‑nN超晶格倍增层(107)呈梯度阱厚结构,由较低Al组分的AlmGa1‑mN阱层(202)和较高Al组分的AlnGa1‑nN垒层(201)循环交替构成,AlnGa1‑nN垒层(201)厚度保持不变,AlmGa1‑mN阱层(202)厚度由衬底侧至上逐渐增加。
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