[发明专利]具有低泄漏电流的图像传感器的浮动扩散部有效

专利信息
申请号: 201910174941.X 申请日: 2019-03-08
公开(公告)号: CN110459549B 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 真锅宗平;圭司马渕 申请(专利权)人: 豪威科技股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 刘媛媛
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及具有低泄漏电流的图像传感器的浮动扩散部。一种图像传感器包含光电二极管、浮动扩散区域、半导体材料的第一经掺杂区域、第二经掺杂区域及第三经掺杂区域以及第一电容器。所述光电二极管安置于所述半导体材料中以响应于入射光而产生图像电荷。所述浮动扩散区域接近于所述光电二极管而安置于所述半导体材料中。所述浮动扩散区域由所述半导体材料的所述第一经掺杂区域至少部分地环绕。所述半导体材料的所述第二经掺杂区域及所述第三经掺杂区域各自具有与所述浮动扩散区域及所述第一经掺杂区域相反的极性。所述浮动扩散区域以及所述第一经掺杂区域的至少一部分横向安置于所述第二经掺杂区域与所述第三经掺杂区域之间。所述第一电容器接近于所述第一经掺杂区域与所述第二经掺杂区域之间的第一界面或接近于所述第一经掺杂区域与所述第三经掺杂区域之间的第二界面而定位。
搜索关键词: 具有 泄漏 电流 图像传感器 浮动 扩散
【主权项】:
1.一种图像传感器,其包括:/n光电二极管,其安置于半导体材料中以响应于入射光而产生图像电荷;/n浮动扩散区域,其接近于所述光电二极管而安置于所述半导体材料中,其中所述浮动扩散区域由所述半导体材料的第一经掺杂区域至少部分地环绕;/n所述半导体材料的第二经掺杂区域及第三经掺杂区域,其各自具有与所述浮动扩散区域及所述第一经掺杂区域相反的极性,其中所述浮动扩散区域以及所述第一经掺杂区域的至少一部分横向安置于所述第二经掺杂区域与所述第三经掺杂区域之间;及/n第一电容器,其接近于所述第一经掺杂区域与所述第二经掺杂区域之间的第一界面或接近于所述第一经掺杂区域与所述第三经掺杂区域之间的第二界面而定位。/n
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