[发明专利]一种籽晶铺设方法、多晶硅锭的制备方法和多晶硅锭在审
| 申请号： | 201910175300.6 | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN109989108A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 徐云飞;毛伟;何亮;雷琦;周成;李建敏 | 申请（专利权）人： | 赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338004 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种籽晶铺设方法，提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设多晶硅层，然后在所述多晶硅层上形成引晶层，所述多晶硅层由若干块多晶硅片拼接而成，所述多晶硅片中的晶粒生长方向与坩埚底部表面平行，所述引晶层的材质包括原生硅纯料碎块，所述多晶硅层和所述引晶层构成籽晶层。该籽晶铺设方法中使用多晶硅层和引晶层组成籽晶层，可以显著减少扩散的各种杂质，大大降低硅锭中金属杂质，显著减少制备得到的多晶硅锭尾部红区。本发明还提供了多晶硅锭的制备方法和多晶硅锭。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅层 多晶硅锭 引晶 铺设 坩埚 制备 多晶硅片 籽晶层 种籽 碎块 晶粒生长方向 底部表面 金属杂质 原生硅 纯料 硅锭 籽晶 拼接 平行 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种籽晶铺设方法，其特征在于，包括：提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设多晶硅层，然后在所述多晶硅层上形成引晶层，所述多晶硅层由若干块多晶硅片拼接而成，所述多晶硅片中的晶粒生长方向与坩埚底部表面平行，所述引晶层的材质包括原生硅纯料碎块，所述多晶硅层和所述引晶层构成籽晶层。
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