[发明专利]发光元件在审

专利信息
申请号: 201910175807.1 申请日: 2016-02-04
公开(公告)号: CN110061027A 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 金钟奎;李素拉;尹馀镇;金在权;李俊燮;姜珉佑;吴世熙;金贤儿;林亨镇 申请(专利权)人: 首尔伟傲世有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/36;H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 姜长星;张川绪
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及一种发光元件,根据本发明的一实施例的发光元件,包括:发光结构体,包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层;第一接触电极以及第二接触电极,位于所述发光结构体上,分别与所述第一导电型半导体层以及第二导电型半导体层欧姆接触;绝缘层,为了所述第一接触电极以及第二接触电极的绝缘,覆盖所述第一接触电极以及第二接触电极的一部分;第一电极焊盘以及第二电极焊盘,电连接于各个所述第一接触电极以及第二接触电极;以及散热垫,形成于所述绝缘层上,使从所述发光结构体产生的热散热,其中,所述散热垫,平面形状的至少三个面可以向外面暴露。
搜索关键词: 接触电极 导电型半导体层 发光结构体 发光元件 绝缘层 散热垫 焊盘 第二电极 第一电极 欧姆接触 平面形状 电连接 活性层 散热 夹设 绝缘 暴露 覆盖
【主权项】:
1.一种发光元件,其特征在于,包括:相邻的第一发光单元和第二发光单元,包括n型半导体层、活性层和p型半导体层;第二接触电极,分别提供于所述第一发光单元和第二发光单元的所述p型半导体层上;主绝缘层,分别提供于所述第一发光单元和第二发光单元的所述第二接触电极上;第一接触电极,在所述第一发光单元和第二发光单元的所述p型半导体层上,分别相隔所述主绝缘层而提供;多个电极连接部,电连接所述第一发光单元的第一接触电极和所述第二发光单元的第二接触电极,其中,所述第一发光单元和第二发光单元的所述第一接触电极经由通过去除所述主绝缘层、所述活性层和所述p型半导体层的一部分形成的第一孔,而连接到所述n型半导体层,其中,所述电极连接部从所述第一发光单元的第一接触电极向所述第二发光单元的上部延伸而电连接到所述第二发光单元的第二接触电极,其中,从平面上看,所述第二发光单元的所述第一接触电极具有凹陷部以在与所述电极连接部对应的区域对应于所述电极连接部的延伸的形状。
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