[发明专利]半导体结构与其制作方法

摘要

本申请提供了一种半导体结构与其制作方法。该制作方法包括；在衬底的表面上设置缺陷层，缺陷层的材料与衬底的材料不同且缺陷层中包括晶体缺陷；在缺陷层的裸露表面上设置缺陷消除层，缺陷消除层包括多个叠置的量子阱，各量子阱包括至少两个结构层，量子阱中与衬底距离最大的结构层的材料与衬底的材料不同；在缺陷消除层的裸露表面上设置包括导电沟道层的沟道结构，缺陷层的材料包括导电沟道层的材料的至少部分元素，与衬底的材料不同的结构层的材料包括导电沟道层的材料的至少部分元素。该方法使得导电沟道层在较大的厚度范围内均不会产生缺陷，从而降低了导电沟道中的缺陷的数量，进一步保证了器件具有良好的性能。

主权项

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：在衬底的表面上设置缺陷层，所述缺陷层的材料与所述衬底的材料不同且所述缺陷层中包括晶体缺陷；在所述缺陷层的裸露表面上设置缺陷消除层，所述缺陷消除层包括多个叠置的量子阱，各所述量子阱包括至少两个结构层，所述量子阱中与所述衬底距离最大的所述结构层的材料与所述衬底的材料不同；在所述缺陷消除层的裸露表面上设置包括导电沟道层的沟道结构，所述缺陷层的材料包括所述导电沟道层的材料的至少部分元素，与所述衬底的材料不同的所述结构层的材料包括所述导电沟道层的材料的至少部分元素。