[发明专利]一种基于嵌套结构和退火的快速常温微凸点键合方法

摘要

本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于嵌套结构和退火的快速常温微凸点键合方法。本发明方法包括：形成嵌套结构：在晶圆的正面和背面均形成嵌套结构，嵌套结构包括第一凸起和凹陷部，凹陷部包括凹陷结构和环绕所述凹陷结构的第二凸起；键合：在键合机上将两片晶圆的嵌套结构对准，使其中一片晶圆的第一凸起与另一片晶圆的凹陷结构相互对准并键合，重复多次完成多层晶圆的键合；第一凸起和凹陷结构构成固液扩散金属对；退火：对完成键合的多层晶圆进行退火，使固液扩散金属对中的高熔点金属和低熔点金属融化扩散形成金属间化合物实现电连接。本方法简单有效，能够节约生产时间，提高生产效率；并能有效避免对器件的损害。

主权项

1.一种基于嵌套结构和退火的快速常温微凸点键合方法，其特征在于，具体步骤为：（1）形成嵌套结构：在晶圆的正面和背面均形成嵌套结构，所述嵌套结构，其两端分别形成有第一凸起和凹陷部，所述凹陷部包括凹陷结构和环绕所述凹陷结构的第二凸起，所述第二凸起的高度大于所述凹陷结构的高度，所述嵌套结构中第一凸起和第二凸起采用高熔点金属材料，所述凹陷部的凹陷结构采用低熔点金属；（2）键合：在键合机上将两片晶圆的所述嵌套结构对准，使其中一片晶圆的嵌套结构的所述第一凸起与另一片晶圆的嵌套结构的所述凹陷结构相互对准并键合，重复多次完成多层晶圆的键合；其中，所述第一凸起和所述凹陷结构构成固液扩散金属对；（3）退火：对完成键合的所述多层晶圆进行退火处理，使所述固液扩散金属对中的高熔点金属和低熔点金属融化扩散形成金属间化合物实现电连接。