[发明专利]半导体存储器有效
| 申请号： | 201910180265.7 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN110931488B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 永岛贤史;荒井史隆 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/20;H10B43/30;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 万利军;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 发明提供半导体存储器，具备：基板；第1构件，在第1方向延伸并包括第1半导体层；第1布线，在第2方向延伸；第2布线，在第2方向延伸并在第3方向与第1布线相邻；第1存储单元，在第1布线与第1构件间存储信息；第2存储单元，在第2布线与第1构件间存储信息；第2构件，在第1方向延伸，在第1方向设置在第1构件上方并包括第2半导体层；第3布线，在第1方向设置在第1布线上方并在第2方向延伸；第4布线，在第2方向延伸并在第3方向与第3布线相邻；第3存储单元，在第3布线与第2构件间存储信息；第4存储单元，在第4布线与第2构件间存储信息；第3半导体层，设置在第1构件与第2构件间，并与第1半导体层和第2半导体层连续。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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