[发明专利]毫米波双极化天线和阵列天线有效

专利信息
申请号: 201910180346.7 申请日: 2019-03-11
公开(公告)号: CN109921187B 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 郭湘荣;王国涛;郑江伟;高一伦;孙志刚;张林光;马晓娜;狄然;宋成杰;公晓庆;王晓雨;班永灵 申请(专利权)人: 青岛海信移动通信技术股份有限公司
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q13/10;H01Q15/24;H01Q21/24;H01Q21/00
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 朱颖;刘芳
地址: 266071 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供一种毫米波双极化天线和阵列天线。该天线包括:逐层依次分布的第一金属层、第一介质基板、第二金属层、第二介质基板和第三金属层;第一金属层上设有缝隙天线;第一介质基板和第二介质基板均设有第一金属通孔和第二金属通孔;第一金属通孔的第一部分、第二金属层和第二金属通孔的第一部分形成SIEW结构,第一金属通孔的第二部分以及第二金属通孔的第二部分形成SIW结构;SIEW结构的一端具有第一馈电端口用于对缝隙天线进行馈电,形成第一极化方向的辐射模式;SIW结构的一端具有第二馈电端口用于对缝隙天线进行馈电,形成第二极化方向的辐射模式。本发明实施例实现了双极化天线,并且在毫米波频段损耗较小。
搜索关键词: 毫米波 极化 天线 阵列
【主权项】:
1.一种毫米波双极化天线,其特征在于,包括:逐层依次分布的第一金属层、第一介质基板、第二金属层、第二介质基板和第三金属层;其中,所述第一金属层上设有缝隙天线;所述第一介质基板和所述第二介质基板均设有第一金属通孔和第二金属通孔;所述第一金属通孔的第一部分、所述第二金属层和所述第二金属通孔的第一部分形成基片集成E面波导SIEW结构,所述第一金属通孔的第二部分以及所述第二金属通孔的第二部分形成基片集成波导SIW结构;所述SIEW结构的一端具有第一馈电端口,所述第一馈电端口用于对所述缝隙天线进行馈电,形成第一极化方向的辐射模式;所述SIW结构远离所述SIEW结构的一端具有第二馈电端口,所述第二馈电端口用于对所述缝隙天线进行馈电,形成第二极化方向的辐射模式。
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