[发明专利]用于结合基板的装置及方法在审
| 申请号： | 201910180697.8 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110010450A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | M.温普林格;V.德拉戈伊;C.弗勒特根 | 申请（专利权）人： | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/67 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 吴强;李建新 |
| 地址： | 奥地利圣*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在第一基板(1)的结合侧与第二基板(14)的结合侧之间生产能够导电直接结合的装置以及相对应的方法，具有下列特征：具有能够相对于环境气体密封地闭合的并且能够加载有真空的工作空间(22)，所述工作空间(22)包括：a)至少一个等离子体腔室(4)，用于更改所述结合侧的至少一个；及至少一个结合腔室(5)，用于结合所述结合侧和/或b)至少一个组合的结合等离子体腔室(20)，用于更改所述结合侧的至少一个并且用于结合所述结合侧。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体腔室 工作空间 闭合 第二基板 第一基板 环境气体 结合基板 直接结合 结合腔 导电 密封 生产 | ||
【主权项】：
1.一种用于在第一基板(1)的结合侧与第二基板(14)的结合侧之间产生直接结合的方法，在该方法中所述第一基板(1)和所述第二基板(14)装载到样本腔室（4）中，在外部的源中产生的等离子体尤其离子的组成部分运输到所述样本腔室（4）中，在所述样本腔室（4）中，氧化物层(2)的化学计量变化到所述结合侧的至少一个中，以及在结合腔室(5)中进行所述第一基板(1)的结合侧与所述第二基板(14)的结合侧的结合。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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