[发明专利]一种基于PEDOT:PSS电化学晶体管的微流控芯片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910181300.7 申请日: 2019-03-11
公开(公告)号: CN109894162A 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 冀健龙;李芒芒;马超群;万丽君;袁仲云;翟瑞永;江小宁;桑胜波;张文栋 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00
代理公司: 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 代理人: 崔浩;冷锦超
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明属于微流控芯片的技术领域,具体涉及一种集成PDEOT:PSS电化学晶体管的微流控芯片及其原位制备方法;所要解决的技术问题为:提供一种兼具成本优势与性能优势的PEDOT:PSS电化学晶体管的微流控芯片及其制备方法;解决该技术问题采用的技术方案为:芯片包括基底,基底的上层沉积有导线层,导线层内部设置有电气连接线和基片pad;导线层的上层还沉积有绝缘层,绝缘层上设置有电极窗口;绝缘层上还沉积有微电极,微电极的一端裸露在绝缘层上,微电极的另一端穿过电极窗口与导线层连接;微电极包括源极、栅极、漏极;基底、导线层、绝缘层、电极窗口、微电极共同构成基片,基片与PDMS盖片通过机械或者物理化学方法键合在一起;本发明应用于电化学晶体管的微流控芯片制备。
搜索关键词: 绝缘层 微流控芯片 导线层 微电极 电化学晶体管 电极窗口 基底 沉积 制备 上层 物理化学 电气连接线 成本优势 内部设置 性能优势 原位制备 盖片 键合 漏极 源极 裸露 穿过 芯片 应用
【主权项】:
1.一种基于PEDOT:PSS电化学晶体管的微流控芯片,其特征在于:包括基底(1),所述基底(1)的上层沉积有导线层(2),所述导线层(2)设置有电气连接线和基片pad;所述导线层(2)的上层还沉积有绝缘层(3),所述绝缘层(3)上设置有电极窗口(4);所述绝缘层(3)上还沉积有微电极(5),所述微电极(5)的一端裸露在绝缘层(3)上,微电极(5)的另一端穿过电极窗口(4)与导线层(2)连接;所述微电极(5)包括源极(6)、栅极(7)、漏极(8);所述基底(1)、导线层(2)、绝缘层(3)、电极窗口(4)、微电极(5)共同构成基片(20),所述基片(20)与PDMS盖片(9)通过机械或者物理化学方法键合在一起;所述PDMS盖片(9)包括进液口(10)、流体输运通道(11)、微型圆池(12)、出液口(13),所述进液口(10)位于PDMS盖片(9)一侧,所述出液口(13)位于PDMS盖片(9)的入口相对侧,所述进液口(10)、出液口(13)均通过流体输运通道(11)与微型圆池(12)相连;所述微电极(5)布置在微型圆池(12)的中央;所述微电极的源极(6)、漏极(8)与栅极(7),相互之间呈三角形设置,其中源极(6)、漏极(8)水平放置,栅极(7)竖直放置;所述源极(6)和漏极(8)之间沉积有有机半导体膜(44)。
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