[发明专利]半导体工艺方法与结构有效
| 申请号： | 201910181592.4 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN110556340B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 郭哲铭;黄彦钧;彭治棠;包天一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请大抵上涉及半导体装置，且特别涉及形成于半导体装置中的介电材料。本申请提供以循环旋转涂布工艺形成介电材料层的方法。本申请提供半导体工艺方法与结构。在一实施例中，于基板上形成介电材料的方法包括旋转涂布介电材料的第一部分于基板上、固化在基板上的介电材料第一部分、旋转涂布介电材料的第二部分于基板上、以及热退火介电材料以于基板上形成经退火的介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体工艺方法，该方法包括：/n旋转涂布一介电材料的一第一部分于一基板上；/n固化在该基板上的该介电材料的第一部分；/n旋转涂布该介电材料的一第二部分于该基板上；以及/n热退火该介电材料以于该基板上形成一经退火的介电材料。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
