[发明专利]分子合成设备有效
| 申请号： | 201910181593.9 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN110364206B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | A·阿雷吉尼;A·弗尔内蒙特 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02;G11C16/04;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨洁;陈斌 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明概念的一个方面，提供了一种分子合成设备，包括：合成阵列，该合成阵列包括合成位置和被布置在每个合成位置处的电极的阵列，以及非易失性存储器，该非易失性存储器包括位单元阵列、一组字线和一组位线，其中每个位单元包括具有被连接到字线的控制栅极、第一源极/漏极端子、和被连接到位线的第二源极/漏极端子的非易失性存储器晶体管，其中合成阵列的每个合成位置处的电极被连接到非易失性存储器的位单元中的相应一个的第一源极/漏极端子。 | ||
| 搜索关键词： | 分子 合成 设备 | ||
【主权项】：
1.一种分子合成设备，包括：合成阵列，所述合成阵列包括合成位置和被布置在每个合成位置处的电极的阵列，以及非易失性存储器，所述非易失性存储器包括位单元阵列、一组字线和一组位线，其中每个位单元包括具有被连接到字线的控制栅极、第一源极/漏极端子、和被连接到位线的第二源极/漏极端子的非易失性存储器晶体管，其中所述合成阵列的每个合成位置处的所述电极被连接到所述非易失性存储器的所述位单元中的相应一个的所述第一源极/漏极端子。
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