[发明专利]一种晶圆表面缺陷模式检测与分析方法

摘要

本发明提出了一种晶圆表面缺陷模式检测与分析方法，该方法能够检测出晶粒的表面缺陷，并判断缺陷晶粒的分布模式及缺陷模式成因。本方法属于晶圆生产制造过程中的缺陷检测领域，旨在解决目前的缺陷检测方法中存在的人工劳动强度大、检测效率低等问题。具体流程包括：获取晶粒图像，通过机器视觉方法生成晶圆缺陷模式图；构建并训练晶圆缺陷模式检测模型与分类模型，检测模型用于判断晶圆是否存在缺陷模式，分类模型用于判断具体的缺陷模式类别；最后根据相似性度量算法在数据库中检索出与待测样本最相似的已标记样本，通过分析已知样本的缺陷模式成因，推断待测样本的缺陷模式成因。

主权项

1.一种晶圆表面缺陷模式检测与分析方法，其特征在于，所述方法包括如下几个步骤：步骤1，利用工业电子显微镜对晶圆上的晶粒逐个扫描，获取晶粒原始图像；步骤2，提取晶粒图像的颜色直方图特征，并与模板库中标准晶粒图像和背景图特征进行相似性判别，生成晶圆缺陷特征矩阵；步骤3，扫描结束后，将晶圆缺陷特征矩阵转化为晶圆缺陷模式图，进行中值滤波；步骤4，基于WM811K晶圆数据集，构建晶圆缺陷模式检测模型并进行训练，利用该模型判断晶圆图是否存在已知缺陷模式类型，如果不存在缺陷模式，则判断为正常晶圆，检测过程结束，如果存在缺陷模式，则进行步骤5；步骤5，基于WM811K晶圆数据集，构建晶圆缺陷模式分类模型并进行训练，利用该模型判断具体的晶圆缺陷模式类别；步骤6，基于步骤5构建的缺陷模式分类模型，提取Fc2层输出的晶圆缺陷模式图特征，采用相似性度量算法计算待测样本与数据库中已标记样本的相似性，按照相似性由大到小排序，保留相似性最大的样本，通过分析该样本的缺陷模式成因，进而判断待测样本的具体缺陷成因。