[发明专利]一种大规格低衰减的光纤预制棒及其制备方法

摘要

本申请涉及一种大规格低衰减光纤预制棒及其制备方法，利用MCVD工艺制备包括内芯层、外芯层、内包层和下陷层的预制棒芯棒，再通过VAD工艺沉积第一外包层疏松体，并经过第一次烧结处理得到制备出初级光纤预制棒，最后通过OVD工艺沉积第二外包层疏松体，并经过第二次烧结处理得到光纤预制棒。本发明制备的光纤预制棒的直径可达215mm，单根预制棒拉纤长度可达2930km，光纤在1310nm处的衰减低至0.298dB/km，在1383nm处的衰减系数低至0.265dB/km，在1550nm处的衰减系数低至0.165dB/km，光纤截止波长为1265nm～1273nm。

主权项

1.一种大规格低衰减光纤预制棒的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：利用MCVD工艺在作为下陷层的石英管内壁依次沉积内包层、外芯层和内芯层，获得沉积管，并将沉积管在高温下熔缩成具有内芯层、外芯层、内包层和下陷层的预制棒芯棒；利用VAD工艺在预制棒芯棒上沉积第一外包层疏松体，并经过第一次烧结处理，制备出初级光纤预制棒；利用OVD工艺在初级光纤预制棒上沉积第二外包层疏松体，并经过第二次烧结处理，制备出光纤预制棒；所述内芯层、外芯层、内包层、下陷层、第一外包层以二氧化硅作为基底材料并加入掺杂剂，第二外包层为纯二氧化硅，内芯层、外芯层、内包层、下陷层、第一外包层的相对折射率依次为Δn₁、Δn₂、Δn₃、Δn₄、Δn₅，相对折射率大小为：Δn₁>Δn₂>0>Δn₃>Δn₅>Δn₄。