[发明专利]嵌有部件的部件承载件材料的层堆叠体和共同高温稳健介电结构在审
| 申请号： | 201910183266.7 | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN110265311A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 约翰尼斯·施塔尔;蒂莫·施瓦茨;马里奥·朔贝尔 | 申请（专利权）人： | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/683;H01L23/482;H01L23/488 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 魏彦;洪玉姬 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种制造方法、一种半成品、一种部件承载件以及一种电子器件。该方法包括：设置包括至少部分未固化的部件承载件材料(102)的层堆叠体(100)；在层堆叠体(100)的凹部(114)中布置多个部件(104)；通过使部件承载件材料(102)固化将部件(104)与层堆叠体(100)一体连接；以及在其中具有部件(104)的固化的层堆叠体(100)的主表面上施加高温稳健介电结构(106)。 | ||
| 搜索关键词： | 层堆叠 承载件 介电结构 固化 电子器件 一体连接 未固化 主表面 凹部 嵌有 半成品 施加 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造方法，其中，所述方法包括：设置包括至少部分未固化的部件承载件材料(102)的层堆叠体(100)；在所述层堆叠体(100)的凹部(114)中布置多个部件(104)；通过使所述部件承载件材料(102)固化将所述部件(104)与所述层堆叠体(100)一体连接；在其中具有所述部件(104)的固化的层堆叠体(100)的主表面上施加高温稳健介电结构(106)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
