[发明专利]一种高质量半极性二维超薄铟氮/镓氮叠层结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910183598.5 | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN109841501A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 方志来;吴征远;田朋飞;闫春辉;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0304;H01L33/32;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙) 11226 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 518051 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种高质量半极性二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构及其制备方法，包括：在衬底上生长半极性氮化镓薄膜；控制腔体环境，在半极性氮化镓薄膜上生长二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构。半极性二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构可直接避开铟镓氮材料体系的铟氮与氮化镓混溶隙问题以及铟镓氮材料的相分离、组分涨落与铟掺入效率低等对于材料晶体质量与发光性能的影响；提高发光与光吸收效率，获得更高光电转换效率、更稳定、更高光效的紫光波段到红外光波段发光二极管、激光器、光电探测器与太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 半极性 叠层结构 氮化镓 二维 氮化镓薄膜 铟镓氮 制备 高光电转换效率 半导体材料 发光二极管 光电探测器 光吸收效率 红外光波段 太阳能电池 材料晶体 材料体系 发光性能 控制腔体 效率低等 激光器 生长 高光效 混溶隙 相分离 波段 涨落 掺入 衬底 紫光 镓氮 发光 避开 | ||
【主权项】：
1.一种高质量半极性二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长半极性氮化镓薄膜；步骤2：在制备的半极性氮化镓薄膜上生长半极性二维超薄铟氮/氮化镓叠层结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
