[发明专利]自发电装置及其应用在审

专利信息
申请号: 201910184332.2 申请日: 2019-03-12
公开(公告)号: CN109995216A 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 刘远芳 申请(专利权)人: 深圳市易百珑科技有限公司
主分类号: H02K35/04 分类号: H02K35/04;G08C17/02;H01H9/02
代理公司: 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 代理人: 李高峰;孟湘明
地址: 518000 广东省深圳市宝安区沙井街*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一自发电装置及其应用,其中所述自发电装置包括一导磁主体、一活动元件、至少一线圈、一上磁屏蔽盖以及一下磁屏蔽盖,其中所述导磁主体包括一磁铁、一上导磁片以及一下导磁片,其中所述磁铁被保持于所述上导磁片和所述下导磁片之间,所述活动元件被可活动地设置于所述上导磁片和所述下导磁片之间,所述线圈被设置于所述活动元件,所述上磁屏蔽盖被设置于所述上导磁片的上方,所述下磁屏蔽盖被设置于所述下导磁片的下方,所述线圈被保持于所述上磁屏蔽盖和所述下磁屏蔽盖之间。
搜索关键词: 上导磁片 活动元件 下导磁片 磁屏蔽 屏蔽盖 上磁 自发电装置 磁铁 导磁 发电装置 导磁片 可活动 盖被 应用
【主权项】:
1.一自发电装置,其特征在于,包括:一导磁主体,其中所述导磁主体包括一磁铁、一上导磁片以及一下导磁片,其中所述磁铁被保持于所述上导磁片和所述下导磁片之间;一活动元件,其中所述活动元件被可活动地设置于所述上导磁片和所述下导磁片之间;至少一线圈,所述线圈被设置于所述活动元件;一上磁屏蔽盖,其中所述上磁屏蔽盖被设置于所述上导磁片的上方;以及一下磁屏蔽盖,其中所述下磁屏蔽盖被设置于所述下导磁片的下方,所述线圈被保持于所述上磁屏蔽盖和所述下磁屏蔽盖之间。
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