[发明专利]MRAM器件的制备方法有效
| 申请号： | 201910184568.6 | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111697128B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 刘鲁萍;王雷 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N35/00 | 分类号： | H10N35/00;H10N35/01;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MRAM器件的制备方法，包括：提供基底，在所述基底上依次沉积底电极金属层、磁性隧道结的多层膜以及金属薄膜保护层；在所述金属薄膜保护层上第一次沉积介电层；进行第一次光刻和刻蚀，在所述基底上形成具有间隔的多个预存储结构；第二次沉积介电层；进行第二次光刻和刻蚀，在所述基底上形成多个存储单元结构，且在相邻两个存储单元结构之间保留有与所述存储单元结构等高的介电层；沉积抛光阻挡层；第三次沉积介电层；进行化学机械抛光，直至暴露出所述金属薄膜保护层上方以及相邻两个存储单元结构之间的介电层上方的所有抛光阻挡层。本发明能够提高CMP制程中抛光终点的控制精度。 | ||
| 搜索关键词： | mram 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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