[发明专利]图像传感器及其制作方法

摘要

本发明提供一种图像传感器及其制作方法，其中，图像传感器包括TFT元件，TFT元件包括栅极、栅极绝缘层、IGZO有源层、源极及漏极；光电二极管底电极，光电二极管底电极与源极电连接，包括相对设置的与栅极绝缘层相接触的第一表面及与光电二极管相接触的第二表面。本发明在形成金属层之后，直接在金属层上形成光电二极管及位于光电二极管上方的公共电极，通过金属层以对IGZO有源层进行保护，提高IGZO有源层的性能，而后再图形化金属层，使得光电二极管底电极的制作与源极、漏极同步形成。本发明可减少工艺步骤，减少掩膜板的数量，使得产品结构简单，从而可降低生产成本，提高产品良率。

主权项

1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；于所述衬底上形成栅极；于所述衬底及栅极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成IGZO有源层；在所述栅极绝缘层及IGZO有源层上形成金属层；在所述金属层上形成光电二极管；图形化所述金属层，形成漏极、源极及光电二极管底电极，其中，所述光电二极管底电极与所述源极电连接，所述光电二极管底电极包括相对设置的与所述栅极绝缘层相接触的第一表面及与所述光电二极管相接触的第二表面。