[发明专利]一种基于N,S-CDs/CuPc复合材料的分子印迹光电化学传感器的制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910184873.5 | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN109781819B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 毛乐宝;张修华;文为;何汉平;王升富 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;G01N27/36 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于N,S‑CDs/CuPc复合材料的分子印迹光电化学传感器的制备方法和在赭曲霉毒素A(OTA)检测方面的应用。本发明通过氮和硫共掺杂和非共价功能化方法的协同效应，正确调整碳点的能级，优化紧密的界面接触和延长光吸收范围和增强电荷转移效率来制备得到N,S‑CDs/CuPc复合材料，并结合分子印迹技术，成功制备了分子印迹光电化学传感器。本发明制备的传感器以N,S‑CDs和CuPc形成的复合材料作为光电转换层，通过表面修饰含有毒素识别位点的分子印迹膜来实现OTA的检测。该传感器具有检测范围宽，选择性好，灵敏度高，检测限高达0.51pg·mL |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 cds cupc 复合材料 分子 印迹 电化学传感器 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于N,S‑CDs/CuPc复合材料的分子印迹光电化学传感器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：首先将N,S‑CDs/CuPc复合材料修饰到ITO电极上，形成异质结构光电转换层；然后将含有OTA毒素的分子印迹聚合液滴涂在所述异质结构光电转换层表面，通过光聚合得到分子印迹聚合物膜，再利用有机溶剂洗脱模板分子，得到所述的基于N,S‑CDs/CuPc复合材料的分子印迹光电化学传感器。
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