[发明专利]绝热构造体和立式热处理装置有效
| 申请号： | 201910184953.0 | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN110277334B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 吉井弘治;山口达也;林宽之;冈田充弘;高木聪;高桥敏彦;庄司正文;北村和也 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制从晶圆处理区域向炉口部分的热移动、热传递的绝热构造体和立式热处理装置。一实施方式的绝热构造体用于立式热处理装置，该立式热处理装置具备：双层管构造的处理容器，其具有内管和上部封闭着的外管，并在下端具有开口；气体供给部和排气部，其设置于所述处理容器的下侧；盖部，其从所述开口导入和排出基板，并且能够使所述开口开闭；以及加热部，其以从外侧覆盖所述处理容器的方式设置，该立式热处理装置利用所述加热部对基所述板进行热处理，在所述绝热构造体中，该绝热构造体设置于所述内管与所述外管之间。 | ||
| 搜索关键词： | 绝热 构造 立式 热处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种绝热构造体，其用于立式热处理装置，该立式热处理装置具备：双层管构造的处理容器，其具有内管和上部封闭着的外管，并在下端具有开口；气体供给部和排气部，其设置于所述处理容器的下侧；盖部，其从所述开口导入和排出基板，并且能够使所述开口开闭；以及加热部，其以从外侧覆盖所述处理容器的方式设置，该立式热处理装置利用所述加热部对所述基板进行热处理，在所述绝热构造体中，该绝热构造体设置于所述内管与所述外管之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
